（1）反应混合物。 （2）沉积温度。 （3）衬底材料。 （4）系统内总压和气体总流速。 （5）反应系统装置的因素。 （6）源材料的纯度。
问答题简述热壁LCVD装置
问答题简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
问答题简述化学气相沉积生产装置
问答题简述动量的传递方式
问答题简述热能传递的方式
