A.溶剂去除型着色渗透探伤法B.后乳化型荧光渗透探伤法C.水洗型着色或荧光渗透探伤法D.以上都是选择渗透探伤方……

单项选择题在近场以外的部分，即声程大于3N的远场区声压与距离的关系为（）

A.距离增大一倍声压增大一倍
B.距离增大声压不变
C.距离增大一倍声压降低一半
D.以上全不是

单项选择题表征平面圆晶片发射的超声束特征的主要是（）

A.近场长度和指向角
B.回波声压和反射率
C.晶片厚度和回波频率
D.以上全部

单项选择题下列磁化方法中容易计算工件表面磁场强度的是（）

A.支杆法
B.感应电流法
C.磁轭法
D.通电法

单项选择题采用X射线机对某一工件探伤时，焦距为1m，曝光时间为6min，其余条件均不变，曝光时间改为3min时透照焦距应改为（）

A.0.7m
B.1.4m
C.0.5m
D.2m

单项选择题在探伤灵敏度确定后，缺陷的当量大小（）

A.比实际缺陷的面积大
B.比实际缺陷的面积小
C.与实际缺陷面积差不多
D.约为实际缺陷面积的2倍