A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点C.二极管两端所加的正向……

单项选择题下面哪项不是PN结加正向电压时的特性？（）

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

单项选择题关于空间电荷，下列哪一项不正确？（）

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

单项选择题关于N型半导体，下列哪项不正确？（）

A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成

单项选择题关于空穴，下面哪一项不正确？（）

A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子，电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚（相同情况）

单项选择题电路如图所示。求（）。

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁