A.场效应管小信号模型参数gm可以通过输出特性曲线求解B.场效应管小信号模型参数gm可以通过转移特性曲线求解C……

多项选择题关于图解分析法，下面说法正确的有（）。

A.图解分析法，不能用于大信号工作情况
B.图解分析法，不能用于求某时刻的电压、电流总值
C.图解分析法，能用小大信号工作情况
D.图解分析法，可以用于求静态工作点

多项选择题关于估算法与小信号等效电路法，下面说法正确的有（）。

A.估算法，可以用于求静态工作点
B.估算法，不能用于大信号工作情况
C.小信号等效电路法，不能用于大信号工作情况
D.小信号等效电路法，不能用于求某时刻的电压、电流总值

多项选择题如图所示，下列说法正确的是（）。

A.这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区
B.这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区
C.这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区
D.这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区

多项选择题关于图解分析法，下面说法正确的是（）。

A.对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中I_DO是指v_GS=2V_T的i_D
B.对于耗尽型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中I_DSS是指v_GS=2V_P的i_D
C.图解分析法是将直流通路分为非线性部分和线性部分，非线性部分的伏安特性曲线是转移特性，线性部分的伏安特性曲线是直流负载线
D.为了求解放大电路的静态工作点，画直流通路，然后可用估算法或者图解分析法求解

单项选择题图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示（）。

A.电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是直流负载线方程；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线
B.电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是输出特性曲线
C.电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程
D.电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程