判断题非晶硅辐射探测器由闪烁体、非晶硅层（光电二极管阵列）、TFT阵列（大面积薄膜晶体管阵列）等构成。它是一种直接转换的辐射探测器。
判断题半导体辐射探测器的基本结构是PN结，在辐射照射下可产生电子-空穴对，在电场作用下可引起电信号。
判断题闪烁现象是指高能粒子照射物质时引起瞬时闪光的现象，可以产生闪烁现象的物质称为闪烁体。
判断题在气体辐射探测器内，辐射能量可使气体电离，通过测量电离产生的离子对实现对辐射的测量。
判断题辐射探测器，按原理可分为三类：气体辐射探测器、闪烁辐射探测器、半导体辐射探测器。
