单项选择题

A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电……

下列关于Latch up效应说法不正确的是（）

A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。

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C.Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。
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