A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁……

单项选择题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
E．除A以外都对

单项选择题工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场（）

A、与磁化电流的大小无关
B、与磁化电流的大小有关
C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时，漏磁场最大
D、与工件的材料性质无关

单项选择题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）

A．缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大
B．漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C．漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关
D．工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大

单项选择题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

A、它与试件上的磁通密度有关
B、它与缺陷的高度有关
C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
D、以上都对

单项选择题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的

A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关
B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小
C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
F、c，d和e都对