由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管,当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通,使PNP管也饱和导通,结果IGBT的栅极失去控制作用,这就是擎住效应。 IGBT发生擎住效应后漏极电流增大,造成过高的功耗,最后导致器件损坏。 避免措施: 1.不使漏极电流超过临界值; 2.加大栅极电阻,延长IGBT的关断时间。
问答题GTO的主要特性参数有哪些?
问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?
问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?
填空题IPM的自保护功能包括()、()、()、()。
填空题IPM模块有四种封装形式:(),(),()和()。
填空题功率集成模块内部包括()、()、()。
判断题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。
判断题SCR可以通过门极既控制其导通又控制其关断。
判断题GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。
判断题直接转矩控制需要对定、转子磁链的夹角进行精确、平滑的控制。
判断题圆形磁链轨迹控制相比六边形磁链轨迹控制,开关次数多,开关损耗大。
判断题圆形磁链轨迹控制相比六边形磁链轨迹控制,计算量大。
判断题圆形磁链轨迹控制相比六边形磁链轨迹控制,电机的转矩、转速脉动大。
判断题矢量控制需要进行复杂的坐标变换。
判断题定子坐标系是静止坐标系,转子坐标系是旋转坐标系。