(1)因为I区相对于P区的高阻,在反偏的工作情况下,它承受极大部分电压降使耗尽区增大,这样展宽了光电转换的有效工作区,使灵敏度增大(2)又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压,使PIN结的耗尽层加宽电场强光生电流加速,因而大幅度减少了载流子在结构漂移时间,元件的响应速度加快。
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