A.载流子 B.电子 C.电荷 D.声子
单项选择题以下关于CMOS图像传感系统的描述不正确的是()
A.CMOS图像传感器的像元结构包括无源像素(PPS)结构和有源像素(APS)结构 B.CMOS摄像器件集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低 C.CMOS摄像器件需进一步提高器件的信噪比和灵敏度 D.难与驱动电路及信号处理电路单片集成,需要使用相对高的工作电压,制造成本比较高
单项选择题使光学图像变成视频信号的器件叫摄像器件,包括摄像管、电荷耦合器件、CMOS图像传感器而摄像管其实就是一个能够输出视频信号的()
A.光敏电阻 B.真空光电管 C.发光二极管 D.光电二极管
单项选择题对于光电发射效应,下列说法不正确的是()
A.光电发射效应,又称外光电效应 B.金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区 C.半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA) D.良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高
单项选择题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负
A.P区 B.N区 C.中间区 D.结区
单项选择题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()
A.它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高 B.它们的电阻率不同,光电池的电阻率低 C.工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作 D.它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级