填空题检测晶体型号的方法主要有（）。
填空题计算掺杂的原理是利用：熔液里面的初始浓度x（）=晶体头部的浓度。
填空题CZ生产中的常用的掺杂方式有（）、（）两种方式。
填空题FZ工艺生产中的掺杂工艺，目前常规的有（）、（）、（）三种方式。
填空题采用直拉法制备单晶，晶体的生长方向是由（）决定的，掺杂的目的是为了控制（）。
