A.探测器冷却系统B.NaI探测器C.塑料探测器D.光电倍增管下列部件是液体闪烁计数仪结构的部件的有（）。……

单项选择题采用高纯锗γ谱仪测量样品源时，下列关于高纯锗γ谱仪的操作，说法正确的是（）。

A.测量完毕后，降高压→关机→关闭制冷系统→关闭总电源
B.测量完毕后，取出样品源前，测量室要先关高压，再通气释放真空
C.测量完毕后，降高压→关闭制冷系统→关机→关闭总电源
D.采用相对比较法测量时，样品源和标准源的体积大小可以不同

单项选择题采用高纯锗γ谱仪测量样品时，下列关于高纯锗γ谱仪的操作，说法正确的是（）。

A.打开总电源开关→打开制冷系统→达到制冷温度后，打开仪器电源，加高压→仪器预热30分钟以上→测样
B.打开总电源开关→加高压→打开制冷系统→达到制冷温度→测样
C.打开总电源开关→打开制冷系统→达到制冷温度→测样
D.打开总电源开关→加高压→测样

单项选择题下列部件是γ谱仪结构的部件的有（）。

A.空心阴极灯
B.电感耦合等离子体
C.高纯锗
D.热导检测器

单项选择题采用α谱仪测量样品时，下列关于α谱仪的操作，说法正确的是（）。

A.先抽真空，再加高压
B.先加高压，再抽真空
C.可以不抽真空，直接加高压
D.不必加高压，也无需抽真空

单项选择题下列部件是α谱仪结构的部件的有（）。

A.金硅面垒探测器
B.电感耦合等离子体
C.空心阴极灯
D.热导检测器