A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.沟道长度D.氧化层固定电荷‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（……

单项选择题‎某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。

A.1KW
B.40Ω
C.2KW
D.100W

单项选择题CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect后，才能建立起一定的ipe。这一过程需要的时间是（）。

A.发射结扩散电容充放电时间常数
B.集电结耗尽区延迟时间
C.集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数
D.发射结势垒电容充放电时间常数

单项选择题‍（）的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

A.发射极开路时，使I’_CEO→∞
B.集电极极开路时，使I’_CEO→∞
C.发射极开路时，使I’_CBO→∞
D.基极开路时，使I’_CBO→∞

单项选择题‎在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

单项选择题为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。

A.可逆
B.正温度系数
C.负温度系数
D.不可逆