A.数字脉冲式 B.直接数字编码式 C.调幅式 D.调频式
单项选择题当电阻应变片式传感器拉伸时,该传感器电阻()
A.变大 B.变小 C.不变 D.不定
单项选择题极距变化型电容传感器的灵敏度与()
A.极距成正比B.极距成反比C.极距的平方成正比D.极距的平方成反比
单项选择题高频反射式电涡流传感器,其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分,M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时,上述等效参数变化为()
A.R减小,L不变,M增大 B.R增大,L减小,M增大 C.R减小,L增大,M减小 D.R增大,L增大,M增大
单项选择题在测量位移的传感器中,符合非接触式测量且不受油污等介质影响的是()传感器。
A.电容式 B.压电式 C.电阻式 D.电涡流式
单项选择题半导体热敏电阻随温度上升,其阻值()
A.上升 B.下降 C.保持不变 D.变为0
单项选择题涡流式位移传感器的输出与被测对象的材料()
A.无关 B.不确定 C.有关 D.只限于测铜
单项选择题自感型传感器的两线圈接于电桥的相邻桥臂时,其输出灵敏度()
A.提高很多倍 B.提高一倍 C.降低一倍 D.降低很多倍
单项选择题变间隙式电容传感器测量位移量时,传感器的灵敏度随()而增大。
A.间隙的减小 B.间隙的增大 C.电流的增大 D.电压的增大
单项选择题压电式传感器是高阻抗传感器,要求前置放大器的输入阻抗()
A.很大 B.很低 C.不变 D.随意
单项选择题半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比()
A.半导体应变片的灵敏度高 B.二者相等 C.电阻应变片的灵敏试验高 D.不能确定
单项选择题若石英晶体沿机轴受到正应力,则会在垂直于()的面上产生电荷。
A.机轴 B.电轴 C.光轴 D.都不
单项选择题极距变化型电容式传感器,其灵敏度与极距()
A.成正比B.平方成正比C.成反比D.平方成反比
单项选择题()的基本工作原理是基于压阻效应。
A.金属应变片 B.半导体应变片 C.压敏电阻 D.压电陶瓷
单项选择题可变磁阻式电感传感器,当线圈匝数N及铁芯截面积A0确定后,原始气隙δ0越小,则电感L()
A.越小B.满足不失真条件C.阻抗匹配D.越大
单项选择题压电晶体式传感器其测量电路常采用()
A.电压放大器 B.电荷放大器 C.电流放大器 D.功率放大器