A. RASB. CASC. CED. WE从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号……

单项选择题对一个静态存储单元，说法不正确的是（）

A.行线和列线同时选中时，存储单元有1位数据输出
B.存储单元既有正相数据输出，也有反相数据输出
C.存储单元只有正相数据输出
D.向存储单元写入数据时，既要提供正相数据，也要提供反相数据

单项选择题组成一位静态存储单元，需要MOS管的数量是（）

A.4个
B.6个
C.8个
D.10个

单项选择题关于静态RAM说法正确的是（）

A.双极型SRAM由于工作速度快通常用作Cache，MOS型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系统的主存
B.MOSSRAM由于工作速度快通常用作Cache，双极型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系统的主存
C.Cache和嵌入式系统的主存都使用双极型SRAM
D.Cache和嵌入式系统的主存都使用MOS型SRAM

单项选择题存储芯片在读操作时，其读写控制器的引脚状态应该是（）

A./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为低电平
B./CE引脚为低电平，/OE引脚为高电平，/WE引脚为低电平
C./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平
D./CE引脚为高电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平

单项选择题存储芯片在写操作时，其读写控制器的引脚状态应该是（）

A./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为低电平
B./CE引脚为低电平，/OE引脚为高电平，/WE引脚为低电平
C./CE引脚为低电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平
D./CE引脚为高电平，/OE引脚为低电平，/WE引脚为高电平