填空题整个单晶硅生长过程中，（）的变化过程说明结晶界面的（）可能会经历由大于零等于零，变到小于零的过程。
填空题由于熔体由加热器周围供热，所以一般说来熔体的（）总是正数。
填空题热场的径向温度梯度，包括晶体径向温度梯度，熔体径向温度梯度和（）三种径向温度梯度。
填空题单晶硅生长时，熔体纵向温度梯度较小时，可能会生成（），凝结在（）处，使硅单晶发生（），导致晶体生长不稳定。
填空题生长界面处的（）是晶体、熔体、环境三者的传热、放热、散热综合影响的结果，在一定程度上决定着单晶质量。
