A.非晶硒B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD间接DR中，位于FPD顶层的是（）.……

单项选择题FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）.

A.薄膜晶体管技术
B.光敏照相机技术
C.光电倍增管技术
D.光激励发光技术
E.非晶硒技术

单项选择题CR与DR系统应用比较，相同点是（）.

A.成像方式
B.操作方式
C.床旁摄影
D.应用于常规摄影
E.与常规X线设备匹配

单项选择题屏／片系统成像与数字平板X线摄影的共同之处是（）.

A.图像存储
B.成像能源
C.转换介质
D.成像方式
E.传输方式

单项选择题DR相比于CR（）.

A.成像时间短
B.X线利用效率高
C.图像质量好
D.系统成本高
E.以上都是

单项选择题间接FPD的信号转化过程是（）.

A.X线-电信号-数字图像
B.X线-可见光-电信号-数字图像
C.X线-可见光-电信号-模拟图像
D.X线-电信号-荧光屏-模拟图像
E.X线-电信号-荧光屏-数字图像

单项选择题FPD可用于DSA的根本原因是（）.

A.对比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以动态成像
E.视野大

单项选择题X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（）.

A.可见光
B.电子空穴对
C.荧光
D.正电子
E.低能x射线

单项选择题直接FPD中将射线转化为电信号的是（）.

A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激励荧光体
D.光电倍增管
E.CCD

单项选择题下列器件哪个不是将光信号转化为电信号（）.

A.CCD相机
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光电二极管
E.闪烁体

单项选择题FPD的中文全称为（）.

A.影像板
B.平板探测器
C.光敏照相机
D.平面回波序列
E.直接数字X线摄影

单项选择题一般将IP上产生（）的照射量作为基础的目标照射量.

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

单项选择题CR的第三象限英文简称（）.

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

单项选择题CR四象限理论中，第四象限对应的曲线为（）.

A.照片特性曲线
B.增感屏特性曲线
C.IP特性曲线
D.光激励荧光物的特性曲线
E.FPD特性曲线

单项选择题CR中IP的线性范围是（）.

A.1：10²
B.1：100³
C.1：10⁴
D.1：10⁵
E.1：10⁶

单项选择题CR中EDR的中文全称是（）.

A.影像记录装置
B.曝光数据识别器
C.薄膜晶体管阵列
D.光电倍增管
E.曝光指示器