A.晶体大小分布 B.晶体数量分布 C.晶体体积分布 D.晶体生成速度
单项选择题在冷却结晶过程中，冷却方法有（）。
A.直接冷却 B.间接冷却 C.快速冷却 D.以上全是
填空题结晶一般是（）、（）、（）和（）的统称，但这些结晶方法在处理方法和相应的设备方面存在很大的差异。
填空题在结晶过程中，主要工艺参数溶液的（）以及这些参数在晶体器上的分布情况。
填空题常用的结晶器有强制循环结晶器、（）、流化床结晶器、（）。
填空题晶面生长率决定（）、（）和（）。
