A.形成新相，体积自由能减少B.形成新的界面，界面能减少C.形成新相，体积自由能增加D.形成新的界面，界面能增……

单项选择题在成核生长型相变过程中，在一定范围内，随着过冷度增加，成核位垒∆G*（），晶核形成越（）。

A.增加；容易
B.下降；困难
C.增加；困难
D.下降；容易

单项选择题晶核的界面能γLS（）和相变热∆H（），均有利于晶核形成‍。

A.增加；降低
B.增加；增加
C.降低；增加
D.降低；降低

多项选择题相变过程的推动力可表示为（）的函数。

A.过冷度
B.过热度
C.过饱和蒸汽压
D.过饱和浓度

单项选择题对于吸热的相变过程，系统实际相变温度应比理论相变温度（），相变才能自发进行。

A.低
B.高
C.相同
D.与温度无关

单项选择题同质多晶转变属于（）。

A.一级相变，无扩散型相变
B.一级相变，扩散型相变
C.二级相变，扩散型相变
D.二级相变，无扩散型相变