A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金,共熔点是为()
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
单项选择题集成电路的组装顺序是()
A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→粘片→封装D.中测→划片→组装→封装→键合
单项选择题超声键合用的铝丝,含1%Si的冷拉铝丝,加硅的目的是()
A.提高抗拉强度B.提高抗氧化能力C.提高导电能力D.提高抗腐蚀能力
单项选择题超声压焊的质量可靠性主要由()决定。
A.压力、温度、时间B.压力、超声功率、时间C.劈刀形状、压力、时间D.材料、压力、时间
单项选择题Au-Si共晶焊接时,最大的缺点是()
A.耗金量大B.返修方便C.导热性差D.接触不良